Транзистор N-MOSFET x2 ROHM QS6K1TR, 30V, 1A, TSMT6, ESD, комплект 20 шт.

Комплект із 20 транзисторів ROHM QS6K1TR типу N-MOSFET x2 у корпусі TSMT6. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) та роботи в електронних схемах із напругою до 30 В та струмом до 1 А.

• Тип: N-MOSFET x2 (два транзистори в одному корпусі)
• Напруга дренаж-джерело: 30 В
• Струм дренажу: 1 А (імпульсний до 4 А)
• Корпус: TSMT6, монтаж SMD
• Версія ESD
• Комплект: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистори мають напругу дренаж-джерело 30 В та постійний струм дренажу 1 А. У імпульсному режимі струм може досягати 4 А, а розсіювана потужність становить 1,25 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 364 мОм.

Корпус та монтаж

Компоненти виконані у корпусі TSMT6 із технологією монтажу SMD. Це дозволяє розміщувати два N-MOSFET транзистори в одному корпусі. Версія компонента позначена як ESD.

Комплектація

У комплекті постачається 20 транзисторів. Символ виробника QS6K1TR відповідає моделі ROHM SEMICONDUCTOR. Транзистори є уніполярними з каналом типу «wzbogacany» (збагачений). Напруга на затворі-джерелі становить ±12 В, а заряд затвора — 1,7 нКл.