Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN4R6-60BS, 60В, 100А, SMD D2PAK (PSMN4R6-60BS.118) — набір 10 шт.
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM155964
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN4R6-60BS, 60В, 100А, SMD D2PAK (PSMN4R6-60BS.118) — набір 10 шт.В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN4R6-60BS — це уніполярний компонент із каналом збагачення, з номінальним струмом стока 100 А. Модель у корпусі D2PAK (SOT404) з монтажем SMD забезпечує розсіювання потужності 211 Вт та імпульсний струм 565 А.
- Струм дрена 100 А
- Імпульсний струм 565 А
- Напруга дрена-джерела 60 В
- Розсіювана потужність 211 Вт
- Опір у стані провідності 8,6 мОм
- Корпус D2PAK (SOT404), монтаж SMD
- Комплект: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 60 В та напругою затвор-джерело ±20 В. Струм дрена становить 100 А, а в імпульсному режимі досягає 565 А. Опір у стані провідності дорівнює 8,6 мОм.
Теплові характеристики
Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 211 Вт. Заряд затвора дорівнює 70,8 нКл.
Комплектація
У комплекті постачається 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 211 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8.6 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK, SOT404 |
| Виробник | NEXPERIA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴