Транзистор P-MOSFET PanJit PJW4P06A-AU_R2, SOT223, -60В, -4А (PJW4P06A-AU_R2_007A1) — набір 30 шт.
1 980 ₴
- В наявності
- Код: TM155859
Транзистор P-MOSFET PanJit PJW4P06A-AU_R2, SOT223, -60В, -4А (PJW4P06A-AU_R2_007A1) — набір 30 шт.В наявності
1 980 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний MOSFET-транзистор PanJit PJW4P06A-AU_R2 у корпусі SOT223 для SMD-монтажу. Пристрій розрахований на напругу дрен-джерело -60 В та постійний струм дрену -4 А.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Напруга дрен-джерело: -60 В
- Струм дрену: -4 А, імпульсний: -16 А
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Розсіювана потужність: 3,1 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,13 Ом
- Напруга затвор-джерело: ±20 В
- Заряд затвора: 10 нКл
Електричні параметри та канал
Транзистор має максимальну напругу дрен-джерело -60 В та напругу затвор-джерело ±20 В. Струм дрену становить -4 А, а імпульсний струм дрену досягає -16 А. Опір у відкритому стані дорівнює 0,13 Ом. Це уніполярний P-MOSFET із збагачуваним каналом.
Потужність та монтаж
Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 3,1 Вт. Компонент виконаний у корпусі SOT223 для поверхневого монтажу (SMD). Заряд затвора дорівнює 10 нКл.
Комплектація та застосування
Товар постачається набором із 30 транзисторів. Компонент відповідає вимогам автомобільної промисловості.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Panjit |
| Максимальна потужність розсіювання | 3.1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 130 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 980 ₴