Транзистор N-MOSFET PanJit PJMH190N60E1, 600В, 20,6А, TO247AD-3 (PJMH190N60E1_T0_00601) — набір 10 шт.

Транзистор PanJit PJMH190N60E1 — це N-канальний MOSFET збагачувального типу, має максимальну напругу стік-витік 600 В. Модель виконана в корпусі TO247AD-3 для монтажу на плату (THT) і поставляється комплектом із 10 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET, збагачувальний канал
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Постійний струм стіка: 20,6 А (імпульсний: 62 А)
• Розсіювана потужність: 160 Вт
• Корпус: TO247AD-3, монтаж THT
• Комплект: 10 штук

Електричні параметри

Транзистор розрахований на постійну напругу стік-витік 600 В та постійний струм стіка 20,6 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 62 А, що вказує на допустимий імпульсний струм. Опір у відкритому стані становить 0,18 Ом, що характеризує провідність каналу.

Потужність та керування

Максимальна розсіювана потужність дорівнює 160 Вт, що визначає тепловий режим роботи. Заряд затвора становить 40 нКл, а допустима напруга затвор-витік — ±30 В. Ці параметри описують керування затвором.

Комплектація та монтаж

Товар є набором із 10 транзисторів PanJit PJMH190N60E1. Монтаж виконується вивідним способом (THT) у корпусі TO247AD-3.