Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P40F10SN-5600, 100V, 40A, EETMOS3 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P40F10SN-5600 — це напівпровідниковий прилад технології EETMOS3 у корпусі FTO-220AG (SC91).Транзистор виготовлений за технологією EETMOS3 у корпусі FTO-220AG (SC91). Призначений для монтажу з виводами через отвори (THT).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга сток-виток: 100 В
• Струм стоку: 40 А (постійний), 160 А (імпульсний)
• Потужність розсіювання: 44 Вт
• Опір у відкритому стані: 10,7 мОм
• Корпус: FTO-220AG (SC91), монтаж THT
• Технологія: EETMOS3
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Тип та канал

Прилад є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Це означає, що транзистор відкривається додатковою напругою на затворі.

Напруга та струм

Максимальна напруга між стоком та витоком становить 100 В. Постійний струм стоку — 40 А, а в імпульсному режимі він може досягати 160 А. Напруга на затворі обмежена ±20 В.

Потужність та опір

Розсіювана потужність транзистора дорівнює 44 Вт. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 10,7 мОм.

Монтаж та корпус