Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P30B10EL-5071, 100В, 30А, корпус TO252AA (40 шт.)
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM155680
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P30B10EL-5071 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на напругу 100 В та струм 30 А. Прилад виготовлений за технологією EETMOS2 у корпусі FB (TO252AA) для поверхневого монтажу (SMD). Поставляється комплектом із 40 штук.
- Струм дрена 30 А та імпульсний струм 90 А
- Напруга дрена-джерела 100 В
- Розсіювана потужність 44 Вт
- Опір у стані провідності 30 мОм
- Корпус FB (TO252AA) для SMD монтажу
- Комплект із 40 транзисторів
Потужність та струм
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 100 В та постійним струмом дрена 30 А. Імпульсний струм дрена може досягати 90 А, що дозволяє витримувати короткочасні пікові навантаження. Максимальна розсіювана потужність становить 44 Вт, а опір у стані провідності — 30 мОм.
Технологія EETMOS2
Пристрій виготовлений за технологією EETMOS2. Напруга керування затвором-джерелом становить ±20 В. Загальний заряд затвора дорівнює 37 нКл.
Корпус та монтаж
Транзистор виготовлений у корпусі FB (TO252AA) для поверхневого монтажу (SMD). Видалити речення.
Видалити заголовок.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 44 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 30 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 30 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | FB (TO252AA) |
| Виробник | SHINDENGEN |
| Технологія | EETMOS2 |
- Ціна: 2 270 ₴