Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVD5C688NLT4G, 60В, 12А, DPAK — набір 30 шт.
2 410 ₴
- В наявності
- Код: TM155642
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVD5C688NLT4G, 60В, 12А, DPAK — набір 30 шт.В наявності
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVD5C688NLT4G — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель розрахована на робочу напругу 60 В та постійний струм стоку 12 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 60 В
- Постійний струм стоку: 12 А, імпульсний: 77 А
- Опір у відкритому стані: 27,4 мОм
- Корпус DPAK, монтаж SMD
- Набір із 30 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-виток 60 В та постійний струм стоку 12 А. Імпульсний струм стоку може досягати 77 А, що дозволяє витримувати короткочасні пікові навантаження. Опір у відкритому стані становить 27,4 мОм. Напруга затвор-виток обмежена ±16 В.
Теплові характеристики та монтаж
Максимальна розсіювана потужність становить 9 Вт. Прилад виконаний у корпусі DPAK із технологією монтажу SMD. Заряд затвора дорівнює 7 нКл.
Комплектація
Товар поставляється набором із 30 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 9 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 27.4 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 410 ₴