Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTR4101PT1G, SOT23, -20В, -1,7А (комплект 60 шт.)
2 200 ₴
- В наявності
- Код: TM155629
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTR4101PT1G, SOT23, -20В, -1,7А (комплект 60 шт.)В наявності
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний MOSFET-транзистор ONSEMI NTR4101PT1G у корпусі SOT23. Монтаж на поверхню (SMD). Струм стіка: -1,7 А.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: -20 В
- Струм стіка: -1,7 А
- Потужність розсіювання: 0,21 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Комплектність: 60 шт.
Електричні характеристики
Транзистор має максимальну напругу стік-витік -20 В та струм стіка -1,7 А. Потужність розсіювання становить 0,21 Вт, а опір у відкритому стані — 0,21 Ом. Напруга затвор-витік становить ±8 В.
Тип транзистора та канал
Транзистор є уніполярним P-MOSFET з каналом збагачення.
Комплектація Товар постачається комплектом із 60 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.21 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 210 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 200 ₴