Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTH4L040N120SC1, SiC, 1200 В, 41 А, TO247-4 (комплект 2 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTH4L040N120SC1 — це напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC). У комплекті поставляються два транзистори в корпусі TO247-4 з монтажем THT.

• Технологія SiC
• Напруга дрена-джерела 1200 В
• Струм дрена 41 А (імпульсний до 232 А)
• Опір у стані провідності 56 мОм
• Корпус TO247-4 з монтажем THT
• Комплект із 2 транзисторів

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1,2 кВ та струм дрена 41 А. Імпульсний струм дрена становить 232 А.

Технологія SiC та низький опір

Технологія SiC. Опір у стані провідності становить 56 мОм.

Розсіювання потужності та керування

Максимальна розсіювана потужність транзистора — 160 Вт. Напруга керування затвором знаходиться в діапазоні від -15 до 25 В, а заряд затвора — 106 нКл.

Комплектація

У наборі 2 транзистори. Корпус TO247-4 має виведення Кельвіна. Тип транзистора — N-MOSFET з каналом збагачення (збагачений). Поляризація — уніполярна.