Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTGS5120PT1G, TSOP6, -60В, -2,9А (комплект 30 шт.)
2 070 ₴
- В наявності
- Код: TM155621
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTGS5120PT1G, TSOP6, -60В, -2,9А (комплект 30 шт.)В наявності
2 070 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTGS5120PT1G — це уніполярний компонент для електронних схем. Пакет містить 30 одиниць у корпусі TSOP6 з монтажем SMD.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: -60В
- Струм дрена: -2,9А (у імпульсі -20А)
- Розсіювана потужність: 1,4Вт
- Корпус: TSOP6, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела -60В та струм дрена -2,9А. У імпульсному режимі струм дрена досягає -20А, а розсіювана потужність становить 1,4Вт. Напруга затвор-джерело обмежена ±20В, а заряд затвора дорівнює 18,1нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі TSOP6. Монтаж виконується за технологією SMD.
Комплект поставки
У наборі постачається 30 транзисторів. Компонент має тип каналу збагачуваний та опір у стані провідності 111мОм.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.4 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 111 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TSOP6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 070 ₴