Транзистор N-MOSFET SiC Nexperia NSF080120L3A0Q, 1200 В, 25 А, TO247-3

Транзистор N-MOSFET від бренду Nexperia, модель NSF080120L3A0Q, виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). Має максимальну напругу «дрен-джерело» 1,2 кВ та постійний струм «дрена» 25 А.

• Технологія SiC (карбід кремнію)
• Напруга «дрен-джерело»: 1200 В
• Струм «дрена»: 25 А
• Імпульсний струм (Idm): 80 А
• Розсіювана потужність: 183 Вт
• Корпус TO247-3, монтаж THT

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу «дрен-джерело» 1,2 кВ та постійний струм «дрена» 25 А.

Технологія SiC

Технологія SiC (карбід кремнію) дозволяє працювати при високих напругах.

Імпульсний струм та потужність

Максимальний імпульсний струм «дрена» (Idm) становить 80 А, а розсіювана потужність — 183 Вт. Параметри Idm та потужності визначають допустимі пікові навантаження.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO247-3 з виводами для монтажу на плату (THT). Транзистор є уніполярним із каналом збагачення, що визначає його тип як N-MOSFET.