Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDS355AN, 30В, 1,7А, SOT23, набір 40 шт
2 210 ₴
- В наявності
- Код: TM155557
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDS355AN, 30В, 1,7А, SOT23, набір 40 штВ наявності
2 210 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 40 транзисторів ONSEMI NDS355AN типу N-MOSFET у корпусі SOT23. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) та роботи з логічним рівнем керування.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-виток: 30 В
- Струм стоку: 1,7 А
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Логічний рівень керування (logic level)
- Набір: 40 шт.
Електричні характеристики
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та стоком становить 30 В, а максимальний струм стоку — 1,7 А. Потужність розсіювання дорівнює 0,5 Вт. Опір у відкритому стані (Rds(on)) — 0,23 Ом, заряд затвора — 5 нКл.
Корпус SOT23 та монтаж SMD
Компонент виконаний у корпусі SOT23. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).
Логічний рівень керування
Транзистор має властивість "logic level", що вказує на низький поріг відкривання. Максимальна напруга затвор-виток становить ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 230 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 210 ₴