Транзистор ONSEMI MUN5111DW1T1G — це комплект із 90 біполярних транзисторів типу PNP (подвійний) у корпусі SMD. Призначений для монтажу на поверхню плати, має вбудовані резистори бази та емітера-бази номіналом 10 кОм.
- Тип транзистора: PNP x2 (подвійний)
- Номінал резисторів бази та емітера-бази: 10 кОм
- Максимальна напруга колектор-емітер: 50 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,187 Вт
- Корпус: SC70-6, SC88, SOT363 (SMD монтаж)
- Кількість у комплекті: 90 шт.
Тип та структура
Компонент є біполярним транзистором типу BRT (Bias Resistor Transistor) з подвійною структурою PNP x2. Це означає наявність двох транзисторів у одному корпусі зі спільними або незалежними виводами, залежно від схеми підключення.
Електричні характеристики
Максимальна напруга колектор-емітер становить 50 В, а максимальний струм колектора — 0,1 А. Потужність розсіювання дорівнює 0,187 Вт. Ці параметри визначають робочий діапазон компонента в електричних ланцюгах.
Вбудовані резистори
Транзистор має вбудовані резистори бази та емітера-бази номіналом 10 кОм.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.187 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 50 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 90 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 880 ₴

