Транзистор ONSEMI MMUN2133LT1G — це біполярний PNP-транзистор із вбудованими резисторами (BRT) у корпусі SOT23. Набір складається з 80 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: PNP, біполярний
- Наявність вбудованих резисторів (BRT)
- Максимальна напруга колектор-емітер: 50 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,246 Вт
- Корпус SOT23 (TO236AB) для SMD-монтажу
- Кількість у наборі: 80 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою колектор-емітер до 50 В та струмом колектора 0,1 А. Потужність розсіювання становить 0,246 Вт. Ці характеристики визначають межі застосування компонента в електричних схемах.
Вбудовані резистори
Компонент типу BRT має вбудовані резистори: база 4,7 кОм та емітер-база 47 кОм.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі SOT23 (TO236AB) для поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.246 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 50 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 80 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 880 ₴

