Діод TVS ONSEMI MMBZ20VALT1G — це захисний компонент у корпусі SOT23 для захисту від перенапруги та ESD-розрядів. У комплекті постачається 200 одиниць.
- Напруга пробоя 20 В для захисту від перенапруги
- Імпульсний струм до 1,4 А та потужність 40 Вт
- Корпус SOT23 для поверхневого монтажу (SMD)
- Подвійна структура зі спільним анодом (2 канали)
- Ток витоку 50 нА
- Комплект із 200 діодів
Захист від перенапруги
Діод має напругу пробоя 20 В, що обмежує імпульсні перенапруги. Максимальна зворотна напруга становить 17 В, що є максимальним зворотним напругом.
Імпульсна потужність та струм
Компонент витримує імпульсний струм до 1,4 А та розсіює імпульсну потужність до 40 Вт. Компонент призначений для захисту від імпульсних перенапруг. Структура «подвійна, спільна анода» має подвійну структуру зі спільним анодом.
Компактний монтаж та характеристики
Діод виконаний у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Ток витоку становить 50 нА. Допуск параметрів ±5%.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 1.4 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 17 В |
| Напруга пробою | 20 В |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Допуск | ±5% |
| Кількість у комплекті | 200 шт. |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SOT23 |
| Струм витоку | 50nA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 360 ₴

