Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY14N60X2, 600 В, 14 А, DPAK — набір 5 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTY14N60X2 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель виконана у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD) та постачається комплектом із 5 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 14 А (в імпульсі до 18 А)
• Розсіювана потужність: 180 Вт
• Корпус DPAK для SMD-монтажу
• Комплектація: 5 штук

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 14 А. У імпульсному режимі струм може досягати 18 А, а максимальна розсіювана потужність становить 180 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,25 Ом.

Конструкція та монтаж

Прилад має уніполярну структуру та канал збагачення типу N-MOSFET. Максимальна напруга між затвором та джерелом становить ±30 В, а заряд затвора — 16,7 нКл. Корпус DPAK призначений для поверхневого монтажу (SMD).