Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ60N20T, 200В, 60А, 500Вт, TO3P — набір 5 шт.

Транзистор IXYS IXTQ60N20T — це силовий N-канальний MOSFET у корпусі TO3P для монтажу на плату. Комплект складається з 5 одиниць, призначених для роботи з напругою до 200 В та струмом до 60 А.

• Максимальна потужність розсіювання: 500 Вт
• Напруга стік-витік: 200 В
• Струм стоку: 60 А
• Корпус: TO3P
• Тип монтажу: THT
• Час готовності: 118 нс
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Потужність та електричні параметри

Максимальна потужність розсіювання становить 500 Вт. Максимально допустима напруга стік-витік дорівнює 200 В, а максимальний струм стоку — 60 А. Ці характеристики визначають робочий діапазон компонента в електричних схемах.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі TO3P. Монтаж здійснюється методом THT (through-hole technology), тобто виводи проходять крізь отвори в платі.

Технічні особливості

Час готовності транзистора становить 118 нс, що визначає швидкість його перемикання. Компонент належить до типу N-MOSFET з каналом типу enhancement (збагачений). Заряд затвора дорівнює 73 нКл, Транзистор виготовлений за технологією trench gate power mosfet.