Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ36N50P, 500В, 36А, TO3P — набір 2 шт.
2 470 ₴
- В наявності
- Код: TM154275
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ36N50P, 500В, 36А, TO3P — набір 2 шт.В наявності
2 470 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ36N50P — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, силовий N-MOSFET. Модель розрахована на напругу 500 В та струм 36 А, постачається у комплекті з 2 шт.
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга дрена-джерела: 500 В
- Струм дрена: 36 А
- Потужність розсіювання: 540 Вт
- Опір у стані провідності: 0,17 Ом
- Корпус: TO3P, монтаж THT
- Час готовності: 400 нс
- Комплектація: 2 шт.
Потужність та опір
Прилад розрахований на потужність розсіювання 540 Вт. Опір у стані провідності становить 0,17 Ом. Заряд затвора дорівнює 82 нКл.
Напруга та струм
Максимальна напруга дрена-джерела становить 500 В. Постійний струм дрена дорівнює 36 А. Транзистор є уніполярним.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 540 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 36 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 170 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 400 нс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO3P |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 470 ₴