Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ170N10P, 100В, 170А, 715Вт, TO3P — набір 2 шт.
2 440 ₴
- В наявності
- Код: TM154274
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ170N10P, 100В, 170А, 715Вт, TO3P — набір 2 шт.В наявності
2 440 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ170N10P — це напівпровідниковий прилад у корпусі TO3P. Комплект складається з 2 одиниць.
- Максимальна потужність розсіювання 715 Вт
- Струм стоку до 170 А
- Напруга стік-витік 100 В
- Корпус TO3P, монтаж вставний
- Комплект: 2 шт.
- Час готовності 120 нс
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 715 Вт. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 170 А.
Швидкість перемикання
Максимально допустима напруга стік-витік становить 100 В. Час готовності дорівнює 120 нс.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі TO3P з типом монтажу вставний. Технологія виготовлення — Polar™.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 715 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 170 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 120 нс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO3P |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 440 ₴