Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP60N20T, 200В, 60А, TO220AB — набір 3 шт.
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM154273
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP60N20T, 200В, 60А, TO220AB — набір 3 шт.В наявності
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXTP60N20T від виробника IXYS — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, з номінальним струмом дрена 60 А при напрузі 200 В. Корпус TO220AB, розсіювана потужність 500 Вт.
- Струм дрена: 60 А
- Напруга дрена-джерела: 200 В
- Розсіювана потужність: 500 Вт
- Опір у стані провідності: 40 мОм
- Корпус: TO220AB
- Час готовності: 118 нс
- Тип монтажу: THT
- Кількість у комплекті: 3 шт.
Тип транзистора та канал
Транзистор є N-MOSFET з каналом збагачення (enhancement mode). Поляризація — уніполярна. Технологія виготовлення — trench gate power MOSFET. Опір у стані провідності становить 40 мОм. Заряд затвора становить 73 нКл.
Потужність та монтаж
Розсіювана потужність становить 500 Вт. Час готовності становить 118 нс. Монтаж виконується методом THT (through-hole technology).
Комплектація
Товар продається набором із 3 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 500 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 60 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 40 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 118 нс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 950 ₴