Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP3N120, 1.2 кВ, 3 А, TO220AB — набір 3 шт.
2 220 ₴
- В наявності
- Код: TM154271
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP3N120, 1.2 кВ, 3 А, TO220AB — набір 3 шт.В наявності
2 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IXYS IXTP3N120 — це N-MOSFET у корпусі TO220AB, з напругою до 1,2 кВ та струмом 3 А. Компонент має розсіювану потужність 200 Вт та час готовності 700 нс.
- Напруга дрена-джерела до 1,2 кВ
- Струм дрена 3 А
- Розсіювана потужність 200 Вт
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Час готовності 700 нс
- Набір із 3 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 1,2 кВ та витримує струм дрена 3 А. Максимальна розсіювана потужність становить 200 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 4,5 Ом, а заряд затвора — 42 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220AB. Тип монтажу — THT (вивідний). Поляризація транзистора — уніполярна, канал збагачуваний.
Комплектація
Товар поставляється набором із 3 транзисторів IXYS IXTP3N120.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 700 нс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 220 ₴