Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP12N50P, 500В, 12А, TO220AB, набір 10 шт.
3 110 ₴
- В наявності
- Код: TM154269
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP12N50P, 500В, 12А, TO220AB, набір 10 шт.В наявності
3 110 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP12N50P — це уніполярний компонент технології Polar™ у корпусі TO220AB. Набір із 10 штук призначений для монтажу на плату (THT) з максимальними параметрами 500 В та 12 А.
- Набір із 10 транзисторів N-MOSFET
- Максимальна напруга дрена-джерела 500 В
- Струм дрена 12 А
- Потужність розсіювання 200 Вт
- Корпус TO220AB для монтажу THT
- Технологія Polar™ від виробника IXYS
Висока напруга та струм
Компонент працює з напругою дрена-джерела 500 В та витримує струм дрена 12 А. Це визначає його електричні межі в схемах.
Потужність розсіювання
Потужність розсіювання становить 200 Вт.
Час готовності та заряд затвора
Час готовності транзистора становить 300 нс. Заряд затвора 29 нК.
Монтаж та комплектація
Транзистор має збагачуваний канал та напругу затвор-джерело ±30 В. Опір у стані провідності становить 0,5 Ом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 300 нс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 110 ₴