Транзистор N-MOSFET IXYS IXTK200N10P, 100В, 200А, TO264 (2 шт.)
2 190 ₴
- В наявності
- Код: TM154266
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTK200N10P, 100В, 200А, TO264 (2 шт.)В наявності
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTK200N10P — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO264, розрахований на струм 200 А та напругу 100 В. Комплект складається з двох одиниць.
- Струм стоку 200 А
- Напруга стік-витік 100 В
- Потужність розсіювання 800 Вт
- Корпус TO264, монтаж THT
- Технологія PolarHT™
- Комплект: 2 шт.
Потужність та струм
Транзистор має номінальний струм стоку 200 А та напругу стік-витік 100 В. Потужність розсіювання становить 800 Вт.
Технологія та монтаж
Використовується технологія PolarHT™. Монтаж виконується методом THT (скрізний монтаж).
Швидкість перемикання
Час готовності транзистора становить 100 нс. Напруга затвор-витік становить ±20 В. Опір у відкритому стані дорівнює 7,5 мОм. Заряд затвора — 240 нКл. Канал збагачуваний, полярність уніполярна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 800 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 200 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 100 нс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO264 |
| Технологія | PolarHT™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 190 ₴