Транзистор N-MOSFET IXYS IXTH110N25T, 250В, 110А, TO247-3 — набір 2 шт.
2 000 ₴
- В наявності
- Код: TM154265
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTH110N25T, 250В, 110А, TO247-3 — набір 2 шт.В наявності
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IXYS IXTH110N25T — це силовий N-MOSFET з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах із навантаженням до 110 А. Компонент виконаний у корпусі TO247-3 для монтажу на плату (THT) і постачається комплектом із 2 штук.
- Струм стоку: 110 А
- Напруга стік-витік: 250 В
- Потужність розсіювання: 694 Вт
- Опір у відкритому стані: 26 мОм
- Час готовності: 170 нс
- Корпус: TO247-3 (монтаж THT)
- Комплектація: 2 шт.
Потужність та струм
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 250 В та постійний струм стоку 110 А. Опір у відкритому стані становить 26 мОм. Потужність розсіювання досягає 694 Вт, а заряд затвора — 157 нКл.
Швидкодія та технологія
Час готовності транзистора становить 170 нс, що визначає його швидкість перемикання. Пристрій є уніполярним і використовує технологію trench gate power MOSFET. Корпус TO247-3 з виводами для встановлення в отвори (THT). Комплект містить 2 транзистори.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 694 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 250 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 110 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 26 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 170 нс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 000 ₴