Транзистор N-MOSFET IXYS IXFR30N60P, 600 В, 15 А, ISOPLUS247™ — набір 2 шт.

Транзистор IXYS IXFR30N60P — це силовий N-MOSFET у корпусі ISOPLUS247™, призначений для роботи з напругою до 600 В та струмом 15 А. Компонент має розсіювану потужність 166 Вт та опір у відкритому стані 0,25 Ом.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 15 А
• Розсіювана потужність: 166 Вт
• Опір у стані провідності: 0,25 Ом
• Корпус: ISOPLUS247™, монтаж THT
• Заряд затвора: 85 нКл
• У комплекті: 2 шт.

Електричні параметри та перемикання

Транзистор працює з напругою дрена-джерела 600 В та витримує постійний струм дрена 15 А. Заряд затвора становить 85 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера. Опір у стані провідності дорівнює 0,25 Ом. Канал транзистора є збагачуваним, а сам компонент — уніполярним.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі ISOPLUS247™, який забезпечує ізоляцію. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори). Максимальна розсіювана потужність становить 166 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.

Комплектація та застосування

Товар поставляється як набір із 2 транзисторів IXFR30N60P.