Транзистор N-MOSFET IXYS IXFK80N65X2, 650В, 80А, TO264P
2 000 ₴
- В наявності
- Код: TM154256
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFK80N65X2, 650В, 80А, TO264PВ наявності
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IXFK80N65X2 — це напівпровідниковий прилад типу N-MOSFET від виробника IXYS, з максимальними параметрами: напруга дрена-джерела 650 В, струм дрена 80 А. Компонент виконаний у корпусі TO264P із виводами для монтажу на друковану плату (THT) та використовує технологію Ultra Junction X-Class.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 80 А
- Потужність розсіювання: 890 Вт
- Корпус: TO264P (монтаж THT)
- Опір у стані провідності: 38 мОм
- Час готовності: 200 нс
- Технологія: Ultra Junction X-Class
Електричні параметри та потужність
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 80 А. Потужність розсіювання становить 890 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 38 мОм.
Швидкодія та керування
Час готовності (switching time) становить 200 нс, що визначає швидкість перемикання приладу. Заряд затвора дорівнює 0,14 мкКл. Прилад є уніполярним із каналом збагачення (enhancement mode).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 890 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 38 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 200 нс |
| Корпус | TO264P |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 000 ₴