Транзистор IXYS IXFH30N50P N-MOSFET 500В 30А TO247-3 (2 шт.)
1 970 ₴
- В наявності
- Код: TM154250
Транзистор IXYS IXFH30N50P N-MOSFET 500В 30А TO247-3 (2 шт.)В наявності
1 970 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IXYS IXFH30N50P — це силовий N-MOSFET із технологією PolarHV™, призначений для роботи з напругою до 500 В та струмом до 30 А. У комплекті постачаються 2 одиниці компонента у корпусі TO247-3 для монтажу на плату.
- Тип: N-MOSFET з технологією PolarHV™
- Максимальна напруга дренаж-виток: 500 В
- Максимальний струм дренажу: 30 А
- Потужність розсіювання: 460 Вт
- Опір у стані провідності: 0,2 Ом
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Комплектація: 2 шт.
Висока потужність розсіювання
Компонент має максимальну потужність розсіювання 460 Вт.
Швидке перемикання
Час готовності (turn-on time) становить 200 нс.
Електричні параметри
Опір у стані провідності становить 0,2 Ом, а заряд затвора — 70 нКл. Напруга затвор-виток може досягати ±30 В. Канал транзистора є збагачуваним, а полярність — уніполярною.
Монтаж та комплектація
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 460 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 30 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 200 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 200 нс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Технологія | HiPerFET™, PolarHV™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 970 ₴