
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFH15N100P, 1 кВ, 15 А, TO247-3 — набір 2 шт.
2 210 ₴
- В наявності
- Код: TM154248
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXFH15N100P від бренду IXYS — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення.
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 1 кВ
- Струм стоку: 15 А
- Потужність розсіювання: 543 Вт
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Комплектація: 2 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 1 кВ та струм стоку 15 А. Потужність розсіювання становить 543 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 760 мОм, а заряд затвора — 97 нКл.
Технологія та конструкція
Прилад виготовлений за технологіями HiPerFET™ та Polar™. Це однополярний (unipolarny) транзистор типу N-MOSFET. Корпус TO247-3, монтаж THT.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 543 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 15 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 760 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 210 ₴
