Транзистор N-MOSFET IXYS IXFH10N80P, 800В, 10А, TO247-3, комплект 3 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXFH10N80P — це напівпровідниковий прилад із каналом типу N, розрахований на високу напругу та струм. У комплекті поставляється 3 одиниці в корпусі TO247-3 для монтажу на плату.

• Тип транзистора: N-MOSFET
• Максимальна напруга дрена-джерела: 800 В
• Струм дрена: 10 А
• Потужність розсіювання: 300 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• У комплекті: 3 шт.

Технічні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 800 В та витримує струм дрена 10 А. Потужність розсіювання становить 300 Вт. Заряд затвора дорівнює 40 нКл.

Технологія та монтаж

Прилад виготовлений за технологіями HiPerFET™ та Polar™, що забезпечує його характеристики. Монтаж виконується методом THT (through-hole technology), тобто виводи проходять крізь отвори в друкованій платі. Корпус TO247-3 має три виводи.

Комплектація

У наборі знаходиться 3 транзистори IXFH10N80P.