Транзистор IXYS IXFB82N60P N-MOSFET 600V 82A Polar™
2 500 ₴
- В наявності
- Код: TM154244
Транзистор IXYS IXFB82N60P N-MOSFET 600V 82A Polar™В наявності
2 500 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IXYS IXFB82N60P — це напівпровідниковий прилад типу N-MOSFET із технологією Polar™, активний електронний компонент. Транзистор має номінальну напругу 600 В та струм 82 А, що визначає його потужність розсіювання 1250 Вт.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга: 600 В
- Струм: 82 А
- Потужність: 1250 Вт
- Час готовності: 200 нс
- Корпус: PLUS264™ (THT)
Електричні характеристики
Прилад є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 600 В, а постійний струм витоку — 82 А. Опір у відкритому стані дорівнює 75 мОм. Напруга на затворі обмежена ±30 В.
Швидкодія
Час готовності транзистора становить 200 нс. Загальний заряд затвора — 240 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 1250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 82 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 75 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 200 нс |
| Корпус | PLUS264™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 500 ₴