Транзистор IGBT IXYS IXBT16N170AHV, 10 А, 150 Вт, TO268HV — набір 2 шт.
2 450 ₴
- В наявності
- Код: TM154238
Транзистор IGBT IXYS IXBT16N170AHV, 10 А, 150 Вт, TO268HV — набір 2 шт.В наявності
2 450 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IGBT виробника IXYS, модель IXBT16N170AHV. У комплекті постачаються 2 одиниці компонента у корпусі TO268HV.
- Максимальна потужність розсіювання 150 Вт
- Максимальний струм колектора 10 А
- Технологія BiMOSFET™
- Корпус TO268HV для SMD монтажу
- У комплекті 2 транзистори
Висока потужність розсіювання
Компонент має максимальну потужність розсіювання 150 Вт. Максимальна потужність розсіювання становить 150 Вт.
Максимальний струм колектора
Максимально допустимий струм колектора становить 10 А.
Технологія BiMOSFET™
Транзистор виготовлений за технологією BiMOSFET™.
Зручний монтаж
Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі TO268HV. Тип монтажу: SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустимий струм колектора | 10 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO268HV |
| Технологія | BiMOSFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 450 ₴