Транзистор IGBT IXYS IXBT16N170A, 1,7 кВ, 10 А, TO268 — набір 2 шт.

Транзистор IGBT IXYS IXBT16N170A — це напівпровідниковий прилад технології BiMOSFET™ у корпусі TO268 для монтажу SMD. Комплект складається з 2 одиниць, що забезпечує необхідну кількість компонентів для складання електронних вузлів.

• Технологія BiMOSFET™
• Напруга колектор-емітер 1,7 кВ
• Постійний струм колектора 10 А
• Імпульсний струм до 40 А
• Розсіювана потужність 150 Вт
• Корпус TO268 для монтажу SMD
• Комплект із 2 транзисторів

Високовольтні характеристики

Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 1,7 кВ та постійний струм колектора 10 А. Імпульсний струм колектора становить 40 А.

Швидка комутація та керування

Час замикання становить 43 нс, а час розмикання — 370 нс. Заряд затвора становить 65 нКл, що визначає вимоги до драйвера керування.

Теплові характеристики та монтаж

Максимальна розсіювана потужність становить 150 Вт. Напруга затвор-емітер обмежена ±20 В, що визначає вимоги до драйвера керування. Компонент виконаний у корпусі TO268 для поверхневого монтажу (SMD).

Комплект складається з 2 одиниць.