
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLZ44NPBF, 55В, 41А, TO220AB (набір 20 шт.)
2 760 ₴
- В наявності
- Код: TM154073
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET Infineon IRLZ44NPBF у корпусі TO220AB. Транзистор N-MOSFET із логічним рівнем керування та струмом стоку до 41 А.
- Струм стоку до 41 А
- Напруга стік-витік 55 В
- Розсіювана потужність 83 Вт
- Опір у стані провідності 22 мОм
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Набір із 20 транзисторів
Логічне керування без додаткових драйверів
Транзистор має технологію HEXFET® та параметр "logic level", що дозволяє керувати ним від логічних рівнів. Максимальна напруга затвор-витік становить ±16 В.
Висока потужність та низький опір
Прилад розсіює потужність до 83 Вт. Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 22 мОм.
Зручний монтаж та комплектність
Компоненти виконані у корпусі TO220AB з технологією монтажу THT (through-hole technology), з технологією монтажу THT (through-hole technology). У пакуванні міститься 20 шт.
Компоненти призначені для використання в електронних схемах.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 83 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 41 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 22 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 760 ₴
