Транзистор N-MOSFET Infineon IRLZ34NPBF, 55В, 27А, TO220AB (набір 20 шт.)
2 120 ₴
- В наявності
- Код: TM154072
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLZ34NPBF, 55В, 27А, TO220AB (набір 20 шт.)В наявності
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET Infineon IRLZ34NPBF у корпусі TO220AB. Призначений для монтажу в отвори (THT) з логічним рівнем керування.
- Струм стоку 27 А
- Напруга стік-витік 55 В
- Потужність розсіювання 56 Вт
- Опір у відкритому стані 35 мОм
- Корпус TO220AB
- Набір із 20 транзисторів
Технічні параметри
Транзистор має напругу стік-витік 55 В та струм стоку 27 А. Потужність розсіювання становить 56 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 35 мОм.
Особливості конструкції
Використовується технологія HEXFET®. Корпус TO220AB. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори).
Комплектація
У комплекті 20 транзисторів IRLZ34NPBF. Напруга затвор-витік становить ±16 В. Ємність затвора (заряд) дорівнює 16,7 нКл. Канал збагачуваний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 56 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 27 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 35 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 120 ₴