Транзистор N-MOSFET Infineon IRLML2030TRPBF, 30В, 2,7А, SOT23 (набір 60 шт.)
2 050 ₴
- В наявності
- Код: TM154069
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLML2030TRPBF, 30В, 2,7А, SOT23 (набір 60 шт.)В наявності
2 050 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 60 транзисторів Infineon IRLML2030TRPBF типу N-MOSFET у корпусі SOT23. Має властивість логічного рівня керування (logic level).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-виток: 30 В
- Струм стіка: 2,7 А
- Потужність розсіювання: 1,3 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Технологія: HEXFET®
- Логічний рівень керування (logic level)
- Кількість у наборі: 60 шт.
Технічні характеристики
Транзистор має напругу стік-виток 30 В та максимальний струм 2,7 А. Потужність розсіювання становить 1,3 Вт, що відповідає можливостям компактного корпусу SOT23. Це уніполярний прилад з каналом збагачення (enhancement mode).
Особливості конструкції
Виріб виготовлений за технологією HEXFET®. Монтаж здійснюється методом поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
У пакеті постачається 60 одиниць транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.3 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.7 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 050 ₴