Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL014NTRPBF, 55В, 2А, SOT223, комплект 30 шт.
1 990 ₴
- В наявності
- Код: TM154068
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL014NTRPBF, 55В, 2А, SOT223, комплект 30 шт.В наявності
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 30 транзисторів N-MOSFET Infineon IRLL014NTRPBF у корпусі SOT223. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) та роботи в схемах з логічним рівнем керування.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-виток: 55 В
- Струм стоку: 2 А
- Потужність розсіювання: 2,1 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Технічні характеристики
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 55 В, а постійний струм стоку — 2 А. Потужність розсіювання дорівнює 2,1 Вт.
Технологія та монтаж
Виріб виготовлено за технологією HEXFET®. Компонент має корпус SOT223 та призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація та логічний рівень
У набір входить 30 одиниць транзисторів. Транзистори мають властивість логічного рівня (logic level), що означає низьке порогове напругу затвор-виток.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.1 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 990 ₴