
Транзистор N-MOSFET Infineon IRL3705NPBF, 55В, 89А, TO220AB, логічний рівень (набір 10 шт.)
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM154065
Транзистор N-MOSFET Infineon IRL3705NPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 89 А при напрузі 55 В. Модель виконана у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT) та працює від логічних рівнів керування.
- Струм дрена 89 А та напруга 55 В
- Опір у відкритому стані 10 мОм
- Керування від логічних рівнів (logic level)
- Корпус TO220AB для монтажу на плату (THT)
- Потужність розсіювання 130 Вт
- Набір із 10 транзисторів
Технічні параметри та корпус
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 55 В та струм дрена 89 А. Потужність розсіювання становить 130 Вт, а опір у відкритому стані — 10 мОм. Корпус TO220AB призначений для монтажу на плату (THT).
Особливості керування та технологія
Пристрій виготовлений за технологією HEXFET®. Заряд затвора становить 65,3 нКл, а допустима напруга затвор-джерело — ±16 В. Ключовою особливістю є підтримка логічного рівня (logic level), що означає можливість керування від логічних рівнів.
Комплектація
Товар поставляється набором із 10 транзисторів.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 130 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 89 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
- Ціна: 1 950 ₴
