Транзистор N-MOSFET Vishay IRFS9N60APBF, 600В, 5,8А, D2PAK (набір 10 шт.)
2 780 ₴
- В наявності
- Код: TM154061
Транзистор N-MOSFET Vishay IRFS9N60APBF, 600В, 5,8А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
2 780 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 потужних N-MOSFET транзисторів Vishay IRFS9N60APBF у корпусі D2PAK. Компоненти мають параметри: напруга стік-джерело до 600 В, струм стіка до 5,8 А.
- Напруга стік-джерело: 600 В
- Струм стіка: 5,8 А
- Розсіювана потужність: 170 Вт
- Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
- Опір у відкритому стані: 0,75 Ом
- Кількість у наборі: 10 шт.
Висока напруга та струм
Транзистори працюють з напругою стік-джерело до 600 В та витримують постійний струм стіка 5,8 А. Компоненти призначені для силових електронних схем.
Потужність та корпус
Максимальна розсіювана потужність становить 170 Вт. Корпус D2PAK (TO263).
Зручний монтаж SMD
Компоненти мають тип монтажу SMD. Опір у відкритому стані: 0,75 Ом.
Комплектація
У комплекті постачається 10 транзисторів. Транзистори є уніполярними з каналом збагачення. Напруга затвор-джерело становить ±30 В, а заряд затвора — 49 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 170 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 750 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 780 ₴