Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4668PBFXKMA1, 200V, 130A, TO247AC (набір 5 шт.)
2 790 ₴
- В наявності
- Код: TM154058
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4668PBFXKMA1, 200V, 130A, TO247AC (набір 5 шт.)В наявності
2 790 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4668PBFXKMA1 — це транзистор N-MOSFET у корпусі TO247AC, максимальна напруга 200 В, максимальний струм 130 А. Товар постачається набором із 5 штук.
- Струм стоку 130 А
- Напруга стік-витік 200 В
- Розсіювана потужність 520 Вт
- Опір у відкритому стані 9,7 мОм
- Корпус TO247AC, монтаж THT
- Набір із 5 транзисторів
Потужність та струм
Транзистор розрахований на постійний струм стоку 130 А та розсіювання потужності до 520 Вт.
Електричні характеристики
Максимальна напруга стік-витік становить 200 В, а напруга затвор-витік — ±30 В. Опір у відкритому стані дорівнює 9,7 мОм. Загальний заряд затвора становить 161 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO247AC із технологією HEXFET®. Монтаж здійснюється вивідним методом (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 520 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 130 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9.7 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247AC |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 790 ₴