Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4568PBF, 150В, 171А, TO247AC (набір 5 шт.)
2 480 ₴
- В наявності
- Код: TM154057
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4568PBF, 150В, 171А, TO247AC (набір 5 шт.)В наявності
2 480 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 5 потужних польових транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IRFP4568PBF. Компоненти у корпусі TO247AC розраховані на напругу 150 В та струм до 171 А.
- Напруга дренаж-витік: 150 В
- Струм дренажу: 171 А
- Розсіювана потужність: 517 Вт
- Опір у відкритому стані: 5,9 мОм
- Корпус: TO247AC, монтаж THT
- Комплектація: 5 штук
Транзистори мають канал збагаченого типу та виготовлені за технологією HEXFET®. Максимальна розсіювана потужність становить 517 Вт, а опір у відкритому стані — 5,9 мОм. Напруга затвор-витік обмежена ±30 В, а сумарний заряд затвора дорівнює 151 нКл.
Монтаж та корпус
Компоненти призначені для вивідного монтажу (THT) у корпусі TO247AC.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 517 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 171 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5.9 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247AC |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 480 ₴