Транзистор N-MOSFET Infineon IRFI1310NPBF, 100В, 22А, TO220FP (набір 20 шт.)
2 570 ₴
- В наявності
- Код: TM154050
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFI1310NPBF, 100В, 22А, TO220FP (набір 20 шт.)В наявності
2 570 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFI1310NPBF — це уніполярний компонент із каналом збагачення, N-MOSFET транзистор. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі TO220FP, з монтажем THT.
- Напруга стік-витік: 100 В
- Струм стіка: 22 А
- Розсіювана потужність: 45 Вт
- Опір у відкритому стані: 36 мОм
- Корпус: TO220FP
- Комплектація: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 100 В та витримує струм стіка 22 А. Максимальна розсіювана потужність становить 45 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 36 мОм.
Технологія та керування
Компонент виготовлений за технологією HEXFET®. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, а повний заряд затвора становить 80 нКл.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі TO220FP. Тип монтажу THT (скрізний) дозволяє встановлювати транзистор у отвори плати та фіксувати його паянням.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 45 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 22 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 570 ₴