Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBF20SPBF, 900 В, 1,1 А, корпус D2PAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBF20SPBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель розрахована на високу напругу до 900 В та постійний струм 1,1 А. Товар поставляється комплектом із 10 штук у корпусі D2PAK (TO263) для монтажу на поверхню (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 900 В
• Струм стоку: 1,1 А (постійний), 6,8 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 54 Вт
• Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
• Комплектація: набір із 10 штук

Електричні параметри та потужність

Транзистор витримує напругу між стоком та витоком до 900 В. Номінальний струм стоку становить 1,1 А, а імпульсний струм може досягати 6,8 А. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 54 Вт. Напруга на затворі обмежена ±20 В. Опір у стані провідності становить 8 Ом, а заряд затвора — 38 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі D2PAK, який також відомий як TO263. Монтаж: SMD (поверхневий).

Комплект поставки

Увага: даний товар є набором, що містить 10 транзисторів IRFBF20SPBF.