Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBE20PBF, 800 В, 1,8 А, TO220AB, набір 10 шт.
1 890 ₴
- В наявності
- Код: TM154048
Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBE20PBF, 800 В, 1,8 А, TO220AB, набір 10 шт.В наявності
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів Vishay IRFBE20PBF типу N-MOSFET у корпусі TO220AB. Тип монтажу: вставний. Максимальна напруга стік-витік: 800 В. Максимальний струм стоку: 1,8 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 800 В
- Струм стоку: 1,8 А (імпульсний: 7,2 А)
- Розсіювана потужність: 54 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж вставний
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Тип: N-MOSFET, уніполярний. Імпульсний струм: 7,2 А. Потужність розсіювання: 54 Вт. Максимальна напруга затвор-витік: 20 В.
Корпус та монтаж
Корпус: TO220AB. Товщина радіатора: 1,14–1,4 мм.
Додаткові параметри
Напруга затвор-витік: 20 В. Опір у відкритому стані (Rds): 6,5 Ом. Заряд затвора: 38 нКл. Тип каналу: збагачуваний (enhancement).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 54 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Товщина радіатора | 1.14–1.4 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 890 ₴