Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7430PBF, 409A, 40В, TO220AB, набір 10 шт.
2 980 ₴
- В наявності
- Код: TM154047
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7430PBF, 409A, 40В, TO220AB, набір 10 шт.В наявності
2 980 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 потужних N-MOSFET транзисторів Infineon IRFB7430PBF у корпусі TO220AB.
- Струм стоку до 409 А
- Розсіювана потужність 375 Вт
- Опір у стані провідності 1,3 мОм
- Напруга стік-витік 40 В
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Набір із 10 штук
Високий струм стоку
Постійний струм стоку становить 409 А.
Потужність розсіювання
Максимальна розсіювана потужність становить 375 Вт.
Опір у стані провідності
Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 1,3 мОм.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані в корпусі TO220AB із технологією монтажу THT.
Технологія
Технологія: HEXFET®.
Набір містить 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 375 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 409 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1.3 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 980 ₴