Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4410ZPBF, 100В, 97А, TO220AB (набір 10 шт.)
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM154046
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4410ZPBF, 100В, 97А, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4410ZPBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 100 В та струм 97 А. Товар поставляється комплектом із 10 одиниць у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дренаж-виток: 100 В
- Струм дренажа: 97 А
- Розсіювана потужність: 230 Вт
- Опір у відкритому стані: 9 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Прилад має максимальну розсіювану потужність 230 Вт та опір у відкритому стані 9 мОм. Напруга між затвором і витоком становить ±20 В, а сумарний заряд затвора — 83 нКл. Ці характеристики визначають робочі режими транзистора в електричних схемах.
Корпус та технологія
Транзистор виготовлений за технологією HEXFET® у стандартному корпусі TO220AB. Монтаж виконується в отвори друкованої плати (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 230 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 97 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴