Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4332PBF, 250V, 60A, TO220AB (набір 10 шт.)
2 350 ₴
- В наявності
- Код: TM154045
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4332PBF, 250V, 60A, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4332PBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 10 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 250 В
- Струм стоку: 60 А
- Розсіювана потужність: 390 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Потужність та струм
Прилад розрахований на напругу стік-витік 250 В та постійний струм стоку 60 А. Максимальна розсіювана потужність становить 390 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 33 мОм.
Основні характеристики
Транзистор IRFB4332PBF є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачуваного типу. Напруга затвор-витік обмежена ±30 В, заряд затвора становить 99 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 390 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 250 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 60 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 33 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 350 ₴