Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3207PBF, 75В, 120А, TO220AB, 10 шт.
2 360 ₴
- В наявності
- Код: TM154044
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3207PBF, 75В, 120А, TO220AB, 10 шт.В наявності
2 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3207PBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель виготовлена за технологією HEXFET® у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 75 В
- Струм дрена: 120 А
- Потужність розсіювання: 330 Вт
- Опір у стані провідності: 4,5 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри та технологія
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 75 В та постійний струм дрена 120 А. Потужність розсіювання становить 330 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 4,5 мОм, а заряд затвора — 180 нКл. Прилад виготовлений за технологією HEXFET®.
Корпус та монтаж
Прилад має корпус TO220AB з виводами для встановлення на друковану плату (THT). Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 330 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 360 ₴