Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3206PBF, 60V, 150A, TO220AB — набір 10 шт.
2 240 ₴
- В наявності
- Код: TM154043
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3206PBF, 60V, 150A, TO220AB — набір 10 шт.В наявності
2 240 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IRFB3206PBF. Це уніполярний компонент з напругою дрена-джерела 60 В та струмом дрена 150 А. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі TO220AB.
- Струм дрена 150 А
- Напруга дрена-джерела 60 В
- Розсіювана потужність 300 Вт
- Опір у стані провідності 3 мОм
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Набір із 10 транзисторів
Електричні характеристики
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 60 В та витримує струм дрена до 150 А. Максимальна розсіювана потужність становить 300 Вт, а опір у стані провідності — всього 3 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі TO220AB. Монтаж здійснюється методом THT (навісний монтаж), що дозволяє встановлювати транзистор у отвори друкованих плат. Використовується технологія HEXFET®.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 150 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 240 ₴