Транзистор Infineon IRF7309TRPBF, N/P-MOSFET, SO8, 30 шт.
2 380 ₴
- В наявності
- Код: TM154039
Транзистор Infineon IRF7309TRPBF, N/P-MOSFET, SO8, 30 шт.В наявності
2 380 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 30 транзисторів Infineon IRF7309TRPBF у корпусі SO8. Це комплементарна пара N-канальних та P-канальних MOSFET-транзисторів для монтажу на поверхню (SMD).
- Комплект із 30 транзисторів
- Корпус SO8 для SMD-монтажу
- Напруга стік-витік 30/-30 В
- Струм стіка 4/-3 А
- Потужність розсіювання 1,4 Вт
- Технологія HEXFET®
Напруга та струм
Транзистори розраховані на напругу стік-витік 30/-30 В. Максимальний струм стіка становить 4/-3 А. Потужність розсіювання дорівнює 1,4 Вт. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Опір у відкритому стані
Опір у відкритому стані (Rds(on)) для N-каналу становить 50 мОм, для P-каналу — 100 мОм. Транзистори виготовлені за технологією HEXFET®.
Монтаж та корпус
У комплекті 30 одиниць компонентів. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж) у корпусі SO8. Канали є збагачуваними (enhancement mode).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.4 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 380 ₴