Транзистор N-MOSFET Infineon IRF530NPBF, 100В, 17А, TO220AB (набір 20 шт.)
1 850 ₴
- В наявності
- Код: TM154037
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF530NPBF, 100В, 17А, TO220AB (набір 20 шт.)В наявності
1 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF530NPBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB для монтажу на плату. Комплект складається з 20 одиниць.
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Максимальний струм стоку: 17 А
- Потужність розсіювання: 79 Вт
- Корпус TO220AB для монтажу в отвори (THT)
- Технологія виготовлення: HEXFET®
- Комплект: 20 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 100 В, а максимально допустимий струм стоку — 17 А. Потужність розсіювання: 79 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі TO220AB із технологією виводів для монтажу в отвори (THT). Корпус TO220AB.
Технологія та комплектація
Технологія виготовлення: HEXFET®. У наборі постачається 20 шт. компонентів.
Транзистор IRF530NPBF є N-MOSFET з параметрами 100В, 17А, 79Вт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 79 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 17 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 90 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 850 ₴